长晶科技推动国产革新，全链条技术突破自我

　　在半导体这一高科技领域，技术壁垒如同一座座高山，将众多企业阻挡在成功的门外。然而，长晶科技却以强大的技术实力和坚定的创新精神，成功跨越了这些障碍，不仅在国内半导体市场中占据了一席之地，更在功率半导体全链条建设方面展现出了强大的竞争力。

　　长晶科技成立于2018年，总部位于中国江苏。自成立以来，公司便致力于半导体功率器件的研发、制造与销售，通过多年的积累和发展，逐步形成了从芯片设计、制造到封装测试的完整产业链条。这一全产业链的布局，使长晶科技在半导体行业中拥有了更高的自主权和话语权。

　　公司建立之初就面临全球半导体市场的激烈竞争和技术壁垒，但长晶科技从未停止过前进的脚步，不断加大研发投入，引进和培养高素质的半导体研发人才，持续提升技术创新能力。经过数年的努力，长晶科技成功推出了CSP MOSFET产品，并实现规模量产，成为国内首家实现此类产品国产替代的高科技企业。这一成果的取得，不仅彰显了长晶科技在半导体领域的深厚积累，更为国内半导体产业的国产化进程注入了新的动力。

IGBT单管产品

　　除了晶圆级封装MOSFET外，长晶科技还在IGBT(绝缘栅双极型晶体管)器件和模块领域实现了重大突破。IGBT被誉为“工业CPU”，是整个功率器件市场中重要的细分品类之一。长晶科技经过深入研发，成功研发并推出了新款FST3.0 IGBT产品，其在性能上实现了显著提升，不仅具有更低的导通损耗和开关损耗，还具备更高的可靠性和稳定性。FST3.0 IGBT的发布，为长晶科技在新能源汽车、工业自动化等高端市场赢得了更多机会。

　　长晶科技的成功并非偶然，其背后是持续不断的研发投入和对技术创新的执着追求。公司在浦口区投资建设了长晶浦联封测基地，并于2022年通过产业并购的方式完成了晶圆制造工厂收购项目，补齐了功率器件晶圆研发和制造的产业环节。这一系列举措使得长晶科技逐步掌握了从芯片设计、芯片制造到封装测试的完整产业链条，将芯片制造的自主权牢牢掌握在自己手中。

　　未来，长晶科技将继续坚持自主创新的发展道路，不断加大研发投入和技术创新力度，并计划在未来几年内进一步扩大产能和市场份额，同时加强与国内外企业的合作与交流，推动半导体技术的不断进步和应用拓展。长晶科技将以其卓越的技术实力和坚定的创新精神，为构建绿色低碳、安全高效的能源体系贡献更多力量。

责任编辑：柯鹏