长晶科技突破，FST3.0 IGBT引领国内半导体革新

　　2024年12月，江苏长晶科技股份有限公司(以下简称“长晶科技”)正式发布了其最新的FST3.0 IGBT(绝缘栅双极型晶体管)产品，这一举动不仅标志着长晶科技在半导体技术领域迈出了坚实的一步，也对国内半导体行业产生了深远的影响。

　　长晶科技此次发布的FST3.0 IGBT产品，在技术层面上实现了显著的突破。该产品采用了最新的微沟槽栅(1.6μm Pitch)+场终止技术，这种创新设计极大地提高了载流子密度，从而降低了通态损耗和开关损耗。据长晶科技介绍，FST3.0 IGBT在性能上对标国际Gen7.0水平，这意味着其在全球范围内都处于领先地位。

　　具体而言，FST3.0 IGBT产品系列包括650V和1200V两款单管，型号分别为CGR120N65F3SAD、CGR160N65F3KAD和CGR140N120F3KAD。此产品不仅具有出色的电气性能，还经过了全面的测试，确保能够在恶劣的工作环境下稳定运行。此外，FST3.0 IGBT还具备高功率密度、低导通电阻和优异的热稳定性等特点，这些特性使得其在各种应用场合下都能表现出色。

　　长晶科技FST3.0 IGBT的广泛应用场景是其另一大亮点。该产品主要针对光伏储能、逆变器和充电模块等市场进行开发，这些领域正是当前半导体行业发展的热点和前沿。

　　在光伏储能领域，FST3.0 IGBT能够实现对太阳能逆变器的高效控制，提高能源转换效率，降低能量损失。随着全球对可再生能源需求的不断增加，光伏储能市场将迎来巨大的发展机遇，而长晶科技的FST3.0 IGBT产品将在这一市场中发挥重要作用。

　　在逆变器领域，FST3.0 IGBT的高功率密度和低损耗特性使其成为理想的选择。无论是组串式光伏逆变器还是充电桩市场的应用，FST3.0 IGBT都能提供出色的性能和可靠性。特别是在充电桩市场，长晶科技的IGBT产品已经成功应用于国内多家优秀厂商的产品中，得到了市场的广泛认可。

　　长晶科技FST3.0 IGBT的发布对国内半导体行业产生了深远的影响。FST3.0 IGBT的成功推出打破了国外厂商在高端IGBT市场的垄断地位，提升了国内半导体企业的国际竞争力。另外，FST3.0 IGBT的广泛应用将促进国内半导体产业链的完善和发展，带动上下游企业的协同发展。

　　可以说，长晶科技在FST3.0 IGBT研发过程中积累的技术经验和创新能力也将对国内半导体行业产生积极的示范效应。这将激励更多企业加大研发投入，推动半导体技术的不断进步和创新。同时，长晶科技的成功案例也将吸引更多资本和人才进入半导体行业，为行业的持续发展提供有力支持。

责任编辑：柯鹏